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首页 全部分类 AT45DB641E-MWHN-Y vs IS25LP064A-JBLE

AT45DB641E-MWHN-Y备选型号: IS25LP064A-JBLE

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  • 终止次数
  • 电压 - 供电
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  • 同步/异步
  • 字长
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 端子表面处理
  • 工作电源电压
  • 操作模式
  • 内存宽度
  • 编程电压
  • 页面尺寸
  • 座位高度(最大)
  • Adesto Technologies
    AT45DB641E-MWHN-Y
    Adesto Technologies
    Flash Memory 64Mb, 1.7V, 85Mhz SPI Serial Flash
    12 Weeks
    Gold
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TC
    Tray
    2009
    e4
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    1.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    2.3V
    1.27mm
    未说明
    8
    3.6V
    1.7V
    SPI, Serial
    64Mb 264Bytes x 32K pages
    15mA
    22mA
    85MHz
    7 ns
    FLASH
    SPI
    8b
    64MX1
    8μs, 5ms
    23b
    64 Mb
    Synchronous
    8b
    950μm
    8.1mm
    6.1mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS25LP064A-JBLE
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC
    8 Weeks
    -
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
    8
    Non-Volatile
    -40°C~105°C TA
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    2.3V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    1.27mm
    10
    -
    3.6V
    -
    SPI, Serial
    64Mb 8M x 8
    -
    -
    133MHz
    -
    FLASH
    SPI - Quad I/O, QPI
    -
    64MX1
    800μs
    24b
    64 Mb
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    YES
    Matte Tin (Sn)
    3V
    SYNCHRONOUS
    1
    3V
    256B
    2.16mm
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