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首页 全部分类 ATF-52189-BLK vs BSS606NH6327XTSA1

ATF-52189-BLK备选型号: BSS606NH6327XTSA1

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  • 箱体转运
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  • 晶体管类型
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  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
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  • 场效应管类型
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  • Vgs（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • Broadcom Limited
    ATF-52189-BLK
    Broadcom Limited
    AVAGO TECHNOLOGIES ATF-52189-BLK RF FET Transistor, High Linearity, 7 V, 500 mA, 1.5 W, 50 MHz, 6 GHz, SOT-89
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    1
    Strip
    2001
    e3
    Obsolete
    2 (1 Year)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    150°C
    -65°C
    4.5V
    1.5W
    SINGLE
    FLAT
    260
    500mA
    2GHz
    40
    R-PSSO-F3
    SINGLE
    200mA
    增强型MOSFET
    1.5W
    SOURCE
    AMPLIFIER
    7V
    N-CHANNEL
    E-pHEMT
    500mA
    1V
    16dB
    0.3A
    4.5V
    7V
    27dBm
    高电子迁移率
    1.5dB
    280 mV
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSS606NH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 1000, N-Channel MOSFET, 3.2 A, 60 V, 4-Pin PG-SOT-89 Infineon BSS606NH6327XTSA1
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-243AA
    4
    3.2A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1W
    -
    -
    60V
    -
    -
    3.2A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    PG-SOT89
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    Single
    N-Channel
    60mOhm @ 3.2A, 10V
    2.3V @ 15μA
    无卤素
    657pF @ 25V
    5.6nC @ 5V
    ±20V
    60V
    657pF
    60mOhm
    60 mΩ
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