Infineon Technologies BSS606NH6327XTSA1
- 收藏
- 对比
BSS606NH6327XTSA1
1211-BSS606NH6327XTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

On a Reel of 1000, N-Channel MOSFET, 3.2 A, 60 V, 4-Pin PG-SOT-89 Infineon BSS606NH6327XTSA1
--最小包装量--
BSS606NH6327XTSA1详情
Infineon Technologies BSS606NH6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
4
供应商器件包装
PG-SOT89
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
1W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
60mOhm @ 3.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 15μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
657pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5.6nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
3.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
输入电容
657pF
漏源电阻
60mOhm
最大rds
60 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS606NH6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies









哦! 它是空的。