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首页 全部分类 ATF-53189-BLK vs ZXMN6A11ZTA

ATF-53189-BLK备选型号: ZXMN6A11ZTA

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  • 操作温度
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  • 终端形式
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Broadcom Limited
    ATF-53189-BLK
    Broadcom Limited
    AVAGO TECHNOLOGIES ATF-53189-BLK RF FET Transistor, High Linearity, 7 V, 300 mA, 1 W, 50 MHz, 6 GHz, SOT-89
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    Bulk
    2011
    Obsolete
    2 (1 Year)
    SMD/SMT
    EAR99
    150°C
    -65°C
    8541.21.00.75
    4V
    1W
    300mA
    900MHz
    135mA
    7V
    E-pHEMT
    300mA
    1V
    17.2dB
    4V
    21.7dBm
    0.8dB
    300 mV
    1.6mm
    4.6mm
    2.6mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN6A11ZTA
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 60V 3.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-243AA
    3
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    60V
    -
    2.8A
    -
    -
    -
    -
    3.6A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    1.6mm
    4.6mm
    2.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    130.492855mg
    SILICON
    2.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    3
    120mOhm
    Matte Tin (Sn)
    FLAT
    260
    30
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.6W
    DRAIN
    1.95 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 2.5A, 10V
    1V @ 250μA
    330pF @ 40V
    5.7nC @ 10V
    3.5ns
    ±20V
    4.6 ns
    2.4A
    60V
    无
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