ATF-55143-BLKG备选型号: BFP840ESDH6327XTSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 配置
- 电源电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 增益
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 功率 - 输出
- 场效应管技术
- 噪声图
- 最小击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 安装类型
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 附加功能
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 无卤素
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 噪音数字(分贝类型@ f)
- FET RF 5V 2GHZ SOT-3436 Weeks表面贴装SC-82A, SOT-34341Strip2012e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99Matte Tin (Sn)150°C-65°C2.7V270mWDUAL鸥翼260100mA2GHzATF-55143SINGLE10mA增强型MOSFET270mWSOURCEAMPLIFIER2.7VN-CHANNELE-pHEMT100mA1V17.7dB0.1A14.4dBm高电子迁移率0.6dB5V1mm2.25mm1.35mm无符合RoHS标准无铅------------------
- RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS4 Weeks表面贴装SC-82A, SOT-34342.25VTape & Reel (TR)2013e3活跃1 (Unlimited)4EAR99----75mWDUAL鸥翼未说明-80GHzBFP840---75mW-AMPLIFIER-NPNNPN--18.5dB-----800μm2mm1.25mm-ROHS3 Compliant无铅Tin表面贴装6.406992mgSILICON150°C TJ低噪音未说明Single无卤素2.25V35mA150 @ 10mA 1.8V80MHz2.25V2.9V2.9V35mA0.85dB @ 5.5GHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BFU790F,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | SOT-343F | RF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 对比 |
![]() | BFU710F,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | SOT-343F | TRANSISTOR NPN SOT343F | 对比 |
![]() | BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 | SC-82A, SOT-343 | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | 对比 |




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