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首页 全部分类 ATP112-TL-H vs FQP30N06L

ATP112-TL-H备选型号: FQP30N06L

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ATP112-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    25A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    not_compliant
    3
    Single
    40W
    10 ns
    P-Channel
    43m Ω @ 13A, 10V
    无卤素
    1450pF @ 20V
    33.5nC @ 10V
    60V
    ±20V
    25A
    20V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP30N06L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    Single
    79W
    15 ns
    N-Channel
    35m Ω @ 16A, 10V
    -
    1040pF @ 25V
    20nC @ 5V
    -
    ±20V
    32A
    20V
    16.3mm
    10.67mm
    4.7mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    1.8g
    SILICON
    QFET®
    3
    35mOhm
    60V
    32A
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    2.5V @ 250μA
    210ns
    110 ns
    2.5V
    TO-220AB
    60V
    2.5 V
    无SVHC
    无
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