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首页 全部分类 ATP113-TL-H vs NTB45N06T4G

ATP113-TL-H备选型号: NTB45N06T4G

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 元素配置
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    ATP113-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    35A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3
    Single
    15 ns
    P-Channel
    29.5m Ω @ 18A, 10V
    无卤素
    2400pF @ 20V
    55nC @ 10V
    125ns
    60V
    ±20V
    200 ns
    35A
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTB45N06T4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    45A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    3
    Single
    10 ns
    N-Channel
    26m Ω @ 22.5A, 10V
    -
    1725pF @ 25V
    46nC @ 10V
    101ns
    -
    ±20V
    106 ns
    45A
    20V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    2
    26MOhm
    60V
    鸥翼
    260
    45A
    40
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    125W
    DRAIN
    SWITCHING
    4V @ 250μA
    2.8V
    60V
    240 mJ
    11.05mm
    10.29mm
    4.83mm
    无SVHC
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