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首页 全部分类 ATP201-TL-H vs NTD4813N-1G

ATP201-TL-H备选型号: NTD4813N-1G

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  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    ATP201-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    35A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3
    Single
    30W
    10 ns
    N-Channel
    17m Ω @ 18A, 10V
    无卤素
    985pF @ 10V
    17nC @ 10V
    230ns
    ±20V
    39 ns
    35A
    20V
    30V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4813N-1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    NO
    4
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    4
    Single
    1.94W
    -
    N-Channel
    13m Ω @ 30A, 10V
    -
    860pF @ 12V
    7.9nC @ 4.5V
    19.3ns
    ±20V
    19.3 ns
    40A
    20V
    30V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    SILICON
    3
    未说明
    未说明
    R-PSIP-T3
    不合格
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.5V @ 250μA
    7.6A
    90A
    72 mJ
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NTD4813N-1G NTD4813N-1G ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK 对比