ATP203-TL-H备选型号: FDP8896

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压
  • 电流
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK
    Tin
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    75A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8.2mOhm
    3
    Single
    50W
    24 ns
    N-Channel
    8.2m Ω @ 38A, 10V
    无卤素
    2750pF @ 10V
    44nC @ 10V
    420ns
    30V
    ±20V
    75 ns
    75A
    20V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
    -
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    16A Ta 92A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    5.9MOhm
    -
    Single
    80W
    9 ns
    N-Channel
    5.9m Ω @ 35A, 10V
    -
    2525pF @ 15V
    67nC @ 10V
    103ns
    -
    ±20V
    44 ns
    92A
    20V
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    10 Weeks
    通孔
    SILICON
    PowerTrench®
    3
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    30V
    92A
    30V
    60A
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.5V @ 250μA
    TO-220AB
    30V
    74 mJ
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