您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 ATP203-TL-H vs IRLR8726TRPBF

ATP203-TL-H备选型号: IRLR8726TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ATP203-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK
    Tin
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    75A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8.2mOhm
    3
    Single
    50W
    24 ns
    N-Channel
    8.2m Ω @ 38A, 10V
    无卤素
    2750pF @ 10V
    44nC @ 10V
    420ns
    30V
    ±20V
    75 ns
    75A
    20V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8726TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    86A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    75W
    12 ns
    N-Channel
    5.8m Ω @ 25A, 10V
    -
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    49ns
    -
    ±20V
    16 ns
    86A
    12V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    2
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.35V @ 50μA
    TO-252AA
    0.058Ohm
    30V
    无
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLR8726PBF IRLR8726PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 对比
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 对比
IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 对比