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首页 全部分类 ATP206-TL-H vs NVD5805NT4G

ATP206-TL-H备选型号: NVD5805NT4G

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ATP206-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK
    Tin
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    40A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    16mOhm
    3
    Single
    40W
    19 ns
    N-Channel
    16m Ω @ 20A, 10V
    无卤素
    1630pF @ 20V
    27nC @ 10V
    110ns
    40V
    ±20V
    73 ns
    40A
    20V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVD5805NT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 40V 51A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    4
    51A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    4
    Single
    47W
    10.2 ns
    N-Channel
    9.5m Ω @ 15A, 10V
    -
    1725pF @ 25V
    80nC @ 10V
    17.9ns
    -
    ±20V
    4.5 ns
    51A
    20V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
    34 Weeks
    SILICON
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    3.5V @ 250μA
    0.0095Ohm
    40V
    85A
    80 mJ
    无
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