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首页 全部分类 ATP208-TL-H vs IRF6616TRPBF

ATP208-TL-H备选型号: IRF6616TRPBF

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    ATP208-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    90A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    6mOhm
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3
    Single
    60W
    35 ns
    N-Channel
    6m Ω @ 45A, 10V
    无卤素
    4510pF @ 20V
    83nC @ 10V
    400ns
    40V
    ±20V
    200 ns
    90A
    20V
    1.5mm
    6.5mm
    7.3mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6616TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 19A DIRECTFET
    -
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric MX
    -
    5
    21 ns
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    89W
    15 ns
    N-Channel
    5m Ω @ 19A, 10V
    -
    3765pF @ 20V
    44nC @ 4.5V
    19ns
    -
    ±20V
    4.4 ns
    15A
    20V
    508μm
    6.35mm
    5.0546mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    3
    EAR99
    30V
    BOTTOM
    19A
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2.25V @ 250μA
    1.8V
    40V
    36 mJ
    无SVHC
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