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首页 全部分类 ATP304-TL-H vs NVD5863NLT4G

ATP304-TL-H备选型号: NVD5863NLT4G

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ATP304-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET PCH 4.5V DRIVE SERIES
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    YES
    3
    SILICON
    100A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    not_compliant
    3
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    DRAIN
    80 ns
    P-Channel
    6.5m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    13000pF @ 20V
    250nC @ 10V
    650ns
    60V
    ±20V
    460 ns
    100A
    20V
    0.0089Ohm
    -60V
    400A
    656 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NVD5863NLT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 hours ago)
    27 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    4
    SILICON
    14.9A Ta 82A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    鸥翼
    -
    4
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    12.8 ns
    N-Channel
    7.1m Ω @ 41A, 10V
    -
    3850pF @ 25V
    70nC @ 10V
    24.4ns
    60V
    ±20V
    55 ns
    82A
    20V
    -
    -
    -
    320 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    3V @ 250μA
    60V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无
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