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首页 全部分类 ATP404-TL-H vs IPB80N06S407ATMA2

ATP404-TL-H备选型号: IPB80N06S407ATMA2

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  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    ATP404-TL-H
    ON Semiconductor
    MOSFET POWER MOSFET
    表面贴装
    ATPAK (2 leads+tab)
    3
    95A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    7.2mOhm
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3
    Single
    70W
    53 ns
    N-Channel
    7.2m Ω @ 48A, 10V
    无卤素
    6400pF @ 20V
    120nC @ 10V
    640ns
    ±20V
    520 ns
    95A
    20V
    60V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPB80N06S407ATMA2
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    79W
    15 ns
    N-Channel
    -
    -
    4500pF @ 25V
    56nC @ 10V
    3ns
    ±20V
    5 ns
    80A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    表面贴装
    1.946308g
    SILICON
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    4V @ 40μA
    60V
    320A
    7.1mOhm
    7.1 mΩ
    4.4mm
    10mm
    9.25mm
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