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ATP404-TL-H备选型号: IPB80N06S407ATMA2
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- 包装/外壳
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- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 工厂交货时间
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 终止次数
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
MOSFET POWER MOSFETATPAK (2 leads+tab)表面贴装395A Ta2009Tape & Reel (TR)150°C TJe6yesObsolete1 (Unlimited)EAR997.2mOhmTin/Bismuth (Sn/Bi)Single70W53 nsN-Channel7.2m Ω @ 48A, 10V无卤素6400pF @ 20V120nC @ 10V640ns±20V520 ns95A20V60V符合RoHS标准无无铅---------------------
Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/RTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装-10V2009Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ-yes活跃1 (Unlimited)---Single79W15 nsN-Channel--4500pF @ 25V56nC @ 10V3ns±20V5 ns80A20V-ROHS3 Compliant-无铅16 Weeks表面贴装1.946308gSILICON4V @ 40μAAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™2鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAIN60V320A7.1mOhm7.1 mΩ4.4mm10mm9.25mmnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP77N6F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 60V 6.6mOhm 77A STripFET VI | 对比 |
 | IRFB7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB | 对比 |
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R | 对比 |
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