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ATP404-TL-H备选型号: NTD5862NT4G
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET POWER MOSFET表面贴装ATPAK (2 leads+tab)395A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2009e6yesObsolete1 (Unlimited)EAR997.2mOhmTin/Bismuth (Sn/Bi)3Single70W53 nsN-Channel7.2m Ω @ 48A, 10V无卤素6400pF @ 20V120nC @ 10V640ns±20V520 ns95A20V60V无符合RoHS标准无铅---------------
MOSFET NFET DPAK 60V 102A 6MOHM表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63398A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2010e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99-Tin (Sn)3Single96W18 nsN-Channel5.7m Ω @ 45A, 10V-6000pF @ 25V82nC @ 10V70ns±20V60 ns98A20V-无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)15 WeeksYESSILICON2鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAIN4V @ 250μA60V90A0.0057Ohm60V205 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP77N6F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 60V 6.6mOhm 77A STripFET VI | 对比 |
 | IRFB7540PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB | 对比 |
 | IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R | 对比 |
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