ATSAMD21E18A-MUT备选型号: ATSAML21E18B-MUT
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 电源电压
- 端子间距
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 工作电源电压
- 界面
- 内存大小
- 振荡器类型
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- uPs/uCs/外围ICs类型
- 核心处理器
- 周边设备
- 程序存储器类型
- 芯尺寸
- 程序内存大小
- 连接方式
- 位元大小
- 有ADC
- DMA 通道
- 数据总线宽度
- 脉宽调制通道
- 数模转换器通道
- 定时器/计数器的数量
- 核心架构
- 处理器系列
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- JESD-609代码
- 片上程序 ROM 宽度
- 达到SVHC
- IC MCU 32BIT 256KB FLASH 32QFN8 WeeksTin表面贴装表面贴装32-VFQFN Exposed PadA/D 10x12b; D/A 1x10b-40°C~85°C TATape & Reel (TR)SAM D21E2001yes活跃3 (168 Hours)32QUAD无铅未说明3.3V0.5mm48MHz未说明ATSAMD21E18S-XQCC-N32不合格3.3VI2C, I2S, LIN, SPI, UART, USART, USB256kBInternal1.62V~3.6VMICROCONTROLLER, RISCARM® Cortex®-M0+Brown-out Detect/Reset, DMA, I2S, POR, PWM, WDTFLASH32-Bit256KB 256K x 8I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB32YESYES32bYESYES6ARMCORTEX-M05mm1mmROHS3 Compliant无铅----
- IC MCU 32BIT 256KB FLASH 32QFN13 WeeksTin表面贴装表面贴装32-VFQFN Exposed PadA/D 10x12b; D/A 2x12b-40°C~85°C TATape & Reel (TR)SAM L21E2016yes活跃3 (168 Hours)32QUAD无铅-3.3V0.5mm48MHz-ATSAML21E--3.3VI2C, LIN, SCI, SPI, UART, USART, USB256kBInternal1.62V~3.63VMICROCONTROLLER, RISCARM® Cortex®-M0+DMA, POR, PWM, WDTFLASH32-Bit256KB 256K x 8I2C, LINbus, SCI, SPI, UART/USART, USB32YESYES32bYESYES6ARM-5mm1mmROHS3 Compliant-32e38无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ATSAMD20E16A-MU | Microchip Technology | 嵌入式 - 微控制器 | 32-VFQFN Exposed Pad | MCU 32-bit SAM D20E ARM Cortex M0 RISC 64KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 32-Pin QFN EP Tray | 对比 |
![]() | MKL02Z32VFM4 | NXP USA Inc. | 嵌入式 - 微控制器 | 32-VFQFN Exposed Pad | MCU 8-bit Kinetis KL02 ARM Cortex M0 CISC 32KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 32-Pin QFN EP Tray | 对比 |
![]() | ATSAML21E18B-MUT | Microchip Technology | 嵌入式 - 微控制器 | 32-VFQFN Exposed Pad | IC MCU 32BIT 256KB FLASH 32QFN | 对比 |




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