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AUIRF1018ES备选型号: IPB80N06S407ATMA2
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- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 质量
- 无铅代码
- Reach合规守则
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 漏源电阻
- 最大rds
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAKLead, Tin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON79A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2011e3Discontinued1 (Unlimited)2EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING8.4m Ω @ 47A, 10V4V @ 100μA2290pF @ 50V69nC @ 10V35ns±20V46 ns79A20V0.0084Ohm60V88 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant---------- Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2009-活跃1 (Unlimited)2---鸥翼未说明未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET79WDRAIN15 nsN-Channel--4V @ 40μA4500pF @ 25V56nC @ 10V3ns±20V5 ns80A20V---4.4mm10mm9.25mm--ROHS3 Compliant16 Weeks1.946308gyesnot_compliant60V320A7.1mOhm7.1 mΩ无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S407ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 80A T/R | 对比 |
| AUIRF1010EZSTRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 对比 |
| IRF1010EZSTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 对比 |
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