我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
AUIRF1405ZS-7P备选型号: IPB160N04S203ATMA4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-713 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB120A Tc4V @ 150μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010不用于新设计1 (Unlimited)N-Channel4.9m Ω @ 88A, 10V5360pF @ 25V230nC @ 10V55V±20V120AROHS3 Compliant--------------------
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-710 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)160A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006活跃1 (Unlimited)N-Channel2.9m Ω @ 60A, 10V5300pF @ 25V170nC @ 10V-±20V160AROHS3 CompliantSILICONyes6EAR99ULTRA-LOW RESISTANCESINGLE鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PSSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN无卤素40V0.0029Ohm640A810 mJ含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB160N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH TO262-7 | 对比 |
 | IRF3805STRL-7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7 | 对比 |
 | STH265N6F6-6AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 | 对比 |
哦! 它是空的。