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AUIRF1405ZS-7P备选型号: IRF3805STRL-7PP
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 漏源电压 (Vdss)
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- RoHS状态
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- 终止次数
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- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-713 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB120A Tc4V @ 150μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2010不用于新设计1 (Unlimited)N-Channel4.9m Ω @ 88A, 10V5360pF @ 25V230nC @ 10V55V±20V120AROHS3 Compliant--------------------------------
MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-712 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB160A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010活跃1 (Unlimited)N-Channel2.6m Ω @ 140A, 10V7820pF @ 25V200nC @ 10V-±20V240AROHS3 Compliant7SILICON6SMD/SMTEAR992.6MOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE55V鸥翼160AR-PSSO-G6Single增强型MOSFET300WDRAIN23 nsSWITCHING130ns52 ns4V20V55V55V680 mJ68 ns4 V4.5466mm10.3378mm15.2908mm无SVHC无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB160N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH TO262-7 | 对比 |
| IRF3805STRL-7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7 | 对比 |
 | STH265N6F6-6AG | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6 | 对比 |
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