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首页 全部分类 AUIRF2804 vs IPP80N04S2L03AKSA1

AUIRF2804备选型号: IPP80N04S2L03AKSA1

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  • ECCN 代码
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  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF2804
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.3m Ω @ 75A, 10V
    4V @ 250μA
    6450pF @ 25V
    240nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    130 ns
    195A
    2V
    TO-220AB
    20V
    270A
    40V
    540 mJ
    12.88mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP80N04S2L03AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET OptiMOS PWR TRANST 40V 80A
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    增强型MOSFET
    300W
    -
    19 ns
    N-Channel
    -
    3.4m Ω @ 80A, 10V
    2V @ 250μA
    6000pF @ 25V
    213nC @ 10V
    50ns
    ±20V
    27 ns
    80A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    40V
    含铅
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