AUIRF2804WL备选型号: AUIRF3004WL

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 295A 3-Pin(3 Tab) TO-262WL Tube
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Wide Leads
    3
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    300W
    19 ns
    N-Channel
    1.8m Ω @ 187A, 10V
    4V @ 250μA
    7978pF @ 25V
    225nC @ 10V
    241ns
    ±20V
    100 ns
    295A
    20V
    240A
    40V
    9.65mm
    10.67mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
    16 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    TO-262-3 Wide Leads
    3
    240A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    375W
    19 ns
    N-Channel
    1.4m Ω @ 195A, 10V
    4V @ 250μA
    9450pF @ 32V
    210nC @ 10V
    220ns
    ±20V
    130 ns
    240A
    20V
    -
    40V
    11.3mm
    10.67mm
    4.83mm
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    e3
    3
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    2V
    TO-262AA
    470 mJ
    2 V
    无SVHC
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