ON Semiconductor FDI9406-F085

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

2.084g

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Turn Off Delay Time

50 ns

Power Dissipation (Max)

176W Tj

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc

系列

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

176W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

28 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2m Ω @ 80A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7710pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

138nC @ 10V

上升时间

48ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

110A

JEDEC-95代码

TO-262AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0022Ohm

漏源击穿电压

40V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无