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AUIRF3205ZSTRL备选型号: HUF75344S3ST
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK16 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004e3活跃1 (Unlimited)2EAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET170WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING6.5m Ω @ 66A, 10V4V @ 250μA3450pF @ 25V110nC @ 10V95ns±20V67 ns75A20V0.0065Ohm55V440A250 mJ无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)UltraFET™2004-Obsolete1 (Unlimited)-------Single-285W--N-Channel-8mOhm @ 75A, 10V4V @ 250μA3200pF @ 25V210nC @ 20V125ns±20V57 ns75A20V-55V---符合RoHS标准无铅D2PAK (TO-263AB)175°C-55°C55V75A55V3.2nF8mOhm8 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUF75344S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
| IPB80N06S208ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 | 对比 |
| IRF1010ZSPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 对比 |
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