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首页 全部分类 AUIRF3504 vs DMT4005SCT

AUIRF3504备选型号: DMT4005SCT

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  • 终止次数
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  • 操作模式
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    AUIRF3504
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 87A TO-220AB
    8 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    87A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    Single
    增强型MOSFET
    143W
    DRAIN
    9.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.2m Ω @ 52A, 10V
    4V @ 100μA
    2150pF @ 25V
    54nC @ 10V
    61ns
    ±20V
    29 ns
    87A
    2V
    TO-220AB
    20V
    0.0092Ohm
    40V
    2 V
    16.51mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMT4005SCT
    Diodes Incorporated
    MOSFET NCH 40V 100A TO220AB
    24 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    3062pF @ 20V
    49.1nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    100A
    -
    TO-220AB
    -
    0.0047Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    40V
    160A
    40V
    52.8 mJ
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