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首页 全部分类 AUIRF3504 vs IPP70N04S406AKSA1

AUIRF3504备选型号: IPP70N04S406AKSA1

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 无卤素
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF3504
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 87A TO-220AB
    8 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    87A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    Single
    增强型MOSFET
    143W
    DRAIN
    9.9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9.2m Ω @ 52A, 10V
    4V @ 100μA
    2150pF @ 25V
    54nC @ 10V
    61ns
    ±20V
    29 ns
    87A
    2V
    TO-220AB
    20V
    0.0092Ohm
    40V
    2 V
    16.51mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP70N04S406AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1
    16 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    8 ns
    N-Channel
    -
    6.5m Ω @ 70A, 10V
    4V @ 26μA
    2550pF @ 25V
    32nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    9 ns
    70A
    -
    TO-220AB
    20V
    0.0065Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    40V
    280A
    72 mJ
    含铅
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