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AUIRF6215STRL备选型号: IPB530N15N3GATMA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON13A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2015活跃1 (Unlimited)2EAR99雪崩 额定SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET3.8WDRAIN14 nsP-ChannelSWITCHING290m Ω @ 6.6A, 10V4V @ 250μA860pF @ 25V66nC @ 10V36ns150V±20V37 ns13A20V0.29Ohm-150V44A无ROHS3 Compliant无铅------------ MOSFET N-CH 150V 21A TO263-313 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON21A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008活跃1 (Unlimited)2EAR99-SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET68WDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING53m Ω @ 18A, 10V4V @ 35μA887pF @ 75V12nC @ 10V--±20V3 ns21A20V0.053Ohm-84A-ROHS3 Compliant含铅e3noTin (Sn)未说明not_compliant未说明4不合格无卤素150V60 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| AUIRF3315S | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 对比 |
| IRF3315SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 对比 |
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