Infineon Technologies AUIRF3315S

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

Turn Off Delay Time

49 ns

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 94W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

已出版

2010

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

元素配置

Single

功率耗散

3.8W

接通延迟时间

9.6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

82m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

95nC @ 10V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

21A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

宽度

9.65mm

长度

10.67mm

高度

4.83mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC