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首页 全部分类 AUIRF7207QTR vs FDS9933

AUIRF7207QTR备选型号: FDS9933

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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 场效应管特性
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF7207QTR
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    5.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    11 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    60m Ω @ 5.4A, 4.5V
    1.6V @ 250μA
    780pF @ 15V
    22nC @ 4.5V
    24ns
    20V
    ±12V
    41 ns
    5.4A
    -700mV
    12V
    0.06Ohm
    -20V
    43A
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9933
    ON Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2W
    -
    2 P-Channel (Dual)
    -
    55m Ω @ 3.2A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    825pF @ 10V
    20nC @ 4.5V
    46ns
    20V
    -
    25 ns
    5A
    -
    12V
    -
    -20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    187mg
    -20V
    900mW
    -5A
    Dual
    逻辑电平门
    无铅
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