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首页 全部分类 AUIRF7343QTR vs DMHC4035LSD-13

AUIRF7343QTR备选型号: DMHC4035LSD-13

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
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  • Infineon Technologies
    AUIRF7343QTR
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.7A 3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    2W
    鸥翼
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    740pF @ 25V
    36nC @ 10V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.4A
    1V
    20V
    4.7A
    0.05Ohm
    55V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMHC4035LSD-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
    23 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    4.5A 3.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    1.5W
    -
    -
    -
    -
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
    -
    45m Ω @ 3.9A, 10V
    3V @ 250μA
    574pF @ 20V
    12.5nC @ 10V
    -
    3.7A
    -
    20V
    -
    -
    40V
    -
    逻辑电平门
    -
    1.5mm
    4.95mm
    3.95mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    73.992255mg
    2
    3.6 ns
    2.9ns
    15.3 ns
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