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首页 全部分类 AUIRF7343QTR vs IRF7343TRPBF

AUIRF7343QTR备选型号: IRF7343TRPBF

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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 端子位置
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  • 通道数量
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  • 上升时间
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  • Infineon Technologies
    AUIRF7343QTR
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.7A 3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    2W
    鸥翼
    Dual
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    740pF @ 25V
    36nC @ 10V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    3.4A
    1V
    20V
    4.7A
    0.05Ohm
    55V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    1 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7343TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.7A 3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    2W
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    740pF @ 25V
    36nC @ 10V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    4.7A
    1V
    20V
    -
    -
    55V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    50mOhm
    DUAL
    4.7A
    IRF7343PBF
    6.3 mm
    2
    8.3 ns
    10ns
    22 ns
    150°C
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