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AUIRF7647S2TR备选型号: FDMC86102
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 极性/通道类型
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 无铅代码
- 电阻
- 元素配置
- JEDEC-95代码
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET16 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric SC7SILICON5.9A Ta 24A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2011e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)BOTTOMR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET41WDRAIN5.5 nsN-ChannelAMPLIFIER31m Ω @ 14A, 10V5V @ 50μA910pF @ 25V21nC @ 10V8.4ns±20VP-CHANNEL4.6 ns5.9A4V20V24A0.031Ohm100V95A无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET N-CH 100V 8-MLP40 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON7A Ta 20A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-e4活跃1 (Unlimited)5EAR99Nickel/Palladium (Ni/Pd)DUALS-PDSO-N5-增强型MOSFET2.3WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING24m Ω @ 7A, 10V4V @ 250μA965pF @ 50V18nC @ 10V4ns±20V-4 ns20A3.1V20V7A-100V30A无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)32.13mgyes24MOhmSingleMO-240BA72 mJ3.1 V950μm3.4mm3.4mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF530NSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | 对比 |
| FDMC86102 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 8-MLP | 对比 |
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