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AUIRF7648M2TR备选型号: IRF1018ESTRLPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 栅源电压
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 60V 179A DIRECTFET16 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric M49SILICON14A Ta 68A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010活跃1 (Unlimited)5HIGH RELIABILITYBOTTOMR-XBCC-N5SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET2.5WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 41A, 10V4.9V @ 150μA2170pF @ 25V53nC @ 10V23ns±20V14 ns14A4V20V0.007Ohm60V272A70 mJ175°C740μm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON79A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008活跃1 (Unlimited)2-SINGLER-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET110WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING8.4m Ω @ 47A, 10V4V @ 100μA2290pF @ 50V69nC @ 10V35ns±20V46 ns79A4V20V-60V-88 mJ-4.826mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅e3EAR998.4MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼260304 V10.668mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF1018ESTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK | 对比 |
 | IRF6648TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric MN | MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET | 对比 |
 | IRFR1018EPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 79A DPAK | 对比 |
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