您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 AUIRF7665S2TR vs IRFR3910TRPBF

AUIRF7665S2TR备选型号: IRFR3910TRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRF7665S2TR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SB
    3
    SILICON
    4.1A Ta 14.4A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    BOTTOM
    R-XBCC-N2
    Single
    增强型MOSFET
    2.4W
    DRAIN
    3.8 ns
    N-Channel
    AMPLIFIER
    62m Ω @ 8.9A, 10V
    5V @ 25μA
    515pF @ 25V
    13nC @ 10V
    6.4ns
    ±20V
    3.6 ns
    14.4A
    4V
    20V
    77A
    0.062Ohm
    100V
    58A
    558.8μm
    4.826mm
    3.95mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR3910TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1998
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    52W
    DRAIN
    6.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    115m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    640pF @ 25V
    44nC @ 10V
    27ns
    ±20V
    25 ns
    16A
    4V
    20V
    -
    -
    100V
    60A
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    e3
    SMD/SMT
    115mOhm
    雪崩 额定
    100V
    鸥翼
    260
    16A
    30
    TO-252AA
    100V
    190 ns
    4 V
    Contains Lead, Lead Free
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRF7665S2TRPBF IRF7665S2TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 DirectFET™ Isometric SB MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB 对比
FDMC8622 FDMC8622 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-PowerWDFN N-Channel Shielded Gate Power Trench® MOSFET 100V, 16A, 56mO 对比