Infineon Technologies AUIRF7665S2TR

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.1A Ta 14.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.4W Ta 30W Tc

Turn Off Delay Time

7.1 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3.8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

62m Ω @ 8.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

515pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

6.4ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.6 ns

连续放电电流(ID)

14.4A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

77A

漏极-源极导通最大电阻

0.062Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

58A

高度

558.8μm

长度

4.826mm

宽度

3.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant