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AUIRF7675M2TR备选型号: FDD2582
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- JEDEC-95代码
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET12 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric M27SILICON4.4A Ta 18A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010活跃1 (Unlimited)3EAR99BOTTOMR-XBCC-N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET45WDRAIN10 nsN-ChannelAMPLIFIER56m Ω @ 11A, 10V5V @ 100μA1360pF @ 25V32nC @ 10V13ns±20V7.5 ns4.4A4V20V90A0.056Ohm150V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------------
Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON3.7A Ta 21A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002活跃1 (Unlimited)2EAR99-R-PSSO-G2-增强型MOSFET95WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING66m Ω @ 7A, 10V4V @ 250μA1295pF @ 25V25nC @ 10V19ns±20V19 ns21A4V20V--150V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)Tin260.37mge3yes66mOhm150V鸥翼21ASingleTO-252AA59 mJ2.39mm6.73mm6.22mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDD2582 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 150V 3.7A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
 | IRF3315SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 对比 |
 | FDMC86240 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerWDFN | Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin MLP EP T/R | 对比 |
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