我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
AUIRF7738L2TR备选型号: FDMS015N04B
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 质量
- 无铅代码
- 终端形式
- 元素配置
- JEDEC-95代码
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET16 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L613SILICON35A Ta 130A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010e3活跃1 (Unlimited)7EAR99Matte Tin (Sn)HIGH RELIABILITYBOTTOMR-XBCC-N7SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET94WDRAIN21 nsN-ChannelSWITCHING1.6m Ω @ 109A, 10V4V @ 250μA7471pF @ 25V194nC @ 10V77ns±20V38 ns130A20V35A0.0016Ohm40V736A538 mJ无ROHS3 Compliant----------
MOSFET NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET4 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON31.3A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-e3活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)-DUALR-PDSO-F5-增强型MOSFET104WDRAIN34 nsN-ChannelSWITCHING1.5m Ω @ 50A, 10V4V @ 250μA8725pF @ 20V118nC @ 10V24ns±20V26 ns100A20V--40V400A526 mJ无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 2 days ago)68.1mgyesFLATSingleMO-240AA1.05mm5mm6mm无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF2804STRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 | 对比 |
 | AUIRF7737L2TR | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L6 | MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET | 对比 |
 | STL160N3LLH6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI | 对比 |
哦! 它是空的。