STMicroelectronics STL160N3LLH6

工厂交货时间

20 Weeks

包装/外壳

8-PowerVDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

107.5 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160A Tc

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

1.3MOhm

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

基本部件号

STL160

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

18.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3m Ω @ 17.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6375pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

61.5nC @ 4.5V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

54 ns

连续放电电流(ID)

160A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

900 mJ

高度

880μm

宽度

5.75mm

长度

4.75mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅