STMicroelectronics STL160N3LLH6
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STL160N3LLH6
2381-STL160N3LLH6
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-Ch 30V 0.0011 Ohm 35A STripFET VI
--最小包装量--
STL160N3LLH6详情
STMicroelectronics STL160N3LLH6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
5
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
160A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
136W Tc
Turn Off Delay Time
107.5 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
1.3MOhm
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
基本部件号
STL160
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
80W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
18.5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.3m Ω @ 17.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6375pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
61.5nC @ 4.5V
上升时间
32ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
54 ns
连续放电电流(ID)
160A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
900 mJ
高度
880μm
长度
4.75mm
宽度
5.75mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STL160N3LLH6拓展信息
STMicroelectronics
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