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AUIRF7759L2TR备选型号: IRFS3107PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 元素配置
- 反向恢复时间
- 双电源电压
- 栅源电压
- 宽度
- 长度
- 高度
MOSFET N-CH 75V 160A DIRECTFET16 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L815SILICON375A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2015活跃1 (Unlimited)9EAR99BOTTOMR-XBCC-N9SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET125WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING2.3m Ω @ 96A, 10V4V @ 250μA12222pF @ 25V300nC @ 10V37ns±20V300 ns160A3V20V26A0.0023Ohm75V640A257 mJ无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-99 ns-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2008Discontinued1 (Unlimited)-EAR99----370W-19 nsN-Channel-3m Ω @ 140A, 10V4V @ 250μA9370pF @ 50V240nC @ 10V110ns±20V100 ns230A2.35V20V--75V--无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMTSingle54 ns75V2.35 V9.65mm10.668mm4.826mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AUIRFS3006-7P | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 60V 293A D2PAK-7P | 对比 |
| IRFS3107PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | 对比 |
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