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首页 全部分类 AUIRFB3806 vs IRFB3806PBF

AUIRFB3806备选型号: IRFB3806PBF

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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 恢复时间
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRFB3806
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
    11 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    TO-220AB
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    Single
    71W
    6.3 ns
    N-Channel
    15.8mOhm @ 25A, 10V
    4V @ 50μA
    1150pF @ 50V
    30nC @ 10V
    60V
    ±20V
    43A
    2V
    20V
    60V
    1.15nF
    15.8mOhm
    15.8 mΩ
    16.51mm
    10.66mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFB3806PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    Single
    71W
    6.3 ns
    N-Channel
    15.8m Ω @ 25A, 10V
    4V @ 50μA
    1150pF @ 50V
    30nC @ 10V
    -
    ±20V
    43A
    4V
    20V
    60V
    -
    -
    -
    9.017mm
    10.6426mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    Tin
    SILICON
    3
    EAR99
    15.8MOhm
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    40ns
    47 ns
    TO-220AB
    33 ns
    无铅
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