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首页 全部分类 AUIRFL014NTR vs BSP295H6327XTSA1

AUIRFL014NTR备选型号: BSP295H6327XTSA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 无铅代码
  • 终端
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 无卤素
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRFL014NTR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1W
    DRAIN
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 1.9A, 10V
    4V @ 250μA
    190pF @ 25V
    11nC @ 10V
    7.1ns
    ±20V
    3.3 ns
    1.5A
    2V
    20V
    2.7A
    55V
    1.8mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP295H6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    1.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2001
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    5.4 ns
    N-Channel
    -
    300m Ω @ 1.8A, 10V
    1.8V @ 400μA
    368pF @ 25V
    17nC @ 10V
    9.9ns
    ±20V
    19 ns
    1.8A
    1.1V
    20V
    -
    60V
    1.6mm
    6.5mm
    3.5mm
    无SVHC
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    yes
    SMD/SMT
    260
    40
    4
    R-PDSO-G4
    Single
    无卤素
    60V
    0.5Ohm
    7.2A
    60V
    1.1 V
    无铅
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BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比