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首页 全部分类 AUIRFL014NTR vs IRFL014NTRPBF

AUIRFL014NTR备选型号: IRFL014NTRPBF

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRFL014NTR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 1.5A SOT-223
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    1.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2009
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1W
    DRAIN
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 1.9A, 10V
    4V @ 250μA
    190pF @ 25V
    11nC @ 10V
    7.1ns
    ±20V
    3.3 ns
    1.5A
    2V
    20V
    2.7A
    55V
    1.8mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFL014NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    1.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    160m Ω @ 1.9A, 10V
    4V @ 250μA
    190pF @ 25V
    11nC @ 10V
    7.1ns
    ±20V
    3.3 ns
    1.9A
    4V
    20V
    2.7A
    55V
    1.4478mm
    6.6802mm
    3.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    160mOhm
    55V
    1.9A
    R-PDSO-G4
    Single
    61 ns
    4 V
    无铅
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