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首页 全部分类 AUIRFL024NTR vs BSP318SL6327HTSA1

AUIRFL024NTR备选型号: BSP318SL6327HTSA1

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  • 漏源击穿电压
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    AUIRFL024NTR
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    2.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2011
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1W
    DRAIN
    8.1 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 2.8A, 10V
    4V @ 250μA
    400pF @ 25V
    18.3nC @ 10V
    13.4ns
    ±20V
    17.7 ns
    2.8A
    20V
    0.0028A
    0.075Ohm
    55V
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSP318SL6327HTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    2.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SIPMOS®
    1999
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    -
    -
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.8W
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    -
    90m Ω @ 2.6A, 10V
    2V @ 20μA
    380pF @ 25V
    20nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    15 ns
    2.6A
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    60V
    60V
    60 mJ
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