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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.946523
10
¥4.666526
100
¥4.402383
500
¥4.153194
1000
¥3.918111
ON Semiconductor HUFA75309T3ST
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- 对比
HUFA75309T3ST
1807-HUFA75309T3ST
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 55V 3A SOT-223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
HUFA75309T3ST详情
ON Semiconductor HUFA75309T3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
供应商器件包装
SOT-223-4
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
1.1W Ta
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
UltraFET™
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
55V
额定电流
3A
元素配置
Single
功率耗散
1.1W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
70mOhm @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
352pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 20V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
输入电容
352pF
漏源电阻
70mOhm
最大rds
70 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
HUFA75309T3ST拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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