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AUIRFN7107TR备选型号: IRFS7762TRLPBF
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- 安装类型
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 质量
- 无铅
MOSFET N-CH 75V 75A 8PQFN11 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON14A Ta 75A Tc4V @ 100μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2015Obsolete1 (Unlimited)5EAR998.5mOhm超低电阻DUALFLAT未说明未说明R-PDSO-F51Single增强型MOSFETDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING8.5m Ω @ 45A, 10V3001pF @ 25V77nC @ 10V12ns75V±20V7 ns14A20V300A75V符合RoHS标准--
MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--85A Tc3.7V @ 100μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®, StrongIRFET™2013活跃1 (Unlimited)-EAR99----未说明未说明-1Single--11 nsN-Channel-6.7m Ω @ 51A, 10V4440pF @ 25V130nC @ 10V49ns75V±20V40 ns85A20V--ROHS3 Compliant3.949996g无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | 对比 |
 | IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 75V 87A D2PAK | 对比 |
| IRFS7762TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK | 对比 |
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