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首页 全部分类 AUIRFP4004 vs IRLP3034PBF

AUIRFP4004备选型号: IRLP3034PBF

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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Infineon Technologies
    AUIRFP4004
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 350A TO-247AC
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    Single
    增强型MOSFET
    380W
    DRAIN
    59 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 195A, 10V
    4V @ 250μA
    8920pF @ 25V
    330nC @ 10V
    370ns
    ±20V
    190 ns
    195A
    2V
    TO-247AC
    20V
    40V
    290 mJ
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLP3034PBF
    Infineon Technologies
    30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2009
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Single
    增强型MOSFET
    341W
    DRAIN
    65 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.7m Ω @ 195A, 10V
    2.5V @ 250μA
    10315pF @ 25V
    162nC @ 4.5V
    827ns
    ±20V
    355 ns
    327A
    2.5V
    TO-247AC
    20V
    40V
    224 mJ
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    195A
    0.0017Ohm
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