AUIRFP4310Z备选型号: IRFP2907ZPBF
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET NCH 100V 128A TO247AC19 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON128A Tc-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, HEXFET®2015Obsolete1 (Unlimited)3EAR99超低电阻SINGLE未说明未说明R-PSFM-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING6m Ω @ 77A, 10V4V @ 150μA7120pF @ 50V188nC @ 10V100V±20V128ATO-247AC120A0.006Ohm480A100V355 mJ符合RoHS标准---------------------
- MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC19 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON90A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2004不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE-----增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 90A, 10V4V @ 250μA7500pF @ 25V270nC @ 10V-±20V90ATO-247AC170A-680A-690 mJROHS3 Compliant34.5Ohm75V90ASingle310W19 ns140ns100 ns4V20V75V75V61 ns4 V20.7mm15.87mm5.3086mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFP2907ZPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-247AC | 对比 |
![]() | IRFP4110PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | IRFP4110PBF N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-247AC | 对比 |




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