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首页 全部分类 AUIRFP4409 vs IRFP4229PBF

AUIRFP4409备选型号: IRFP4229PBF

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端
  • 电阻
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRFP4409
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Single
    1
    18 ns
    N-Channel
    69m Ω @ 24A, 10V
    5V @ 250μA
    5168pF @ 50V
    125nC @ 10V
    23ns
    ±20V
    20 ns
    38A
    20V
    300V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFP4229PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET Operating temperature: -40... 175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    44A Tc
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    25 ns
    N-Channel
    46m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    4560pF @ 25V
    110nC @ 10V
    27ns
    ±30V
    19 ns
    44A
    30V
    250V
    无
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    通孔
    46MOhm
    Single
    增强型MOSFET
    310mW
    DRAIN
    SWITCHING
    5V
    TO-247AC
    250V
    290 ns
    5 V
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无铅
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