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首页 全部分类 AUIRFR3504Z vs IPD50N04S308ATMA1

AUIRFR3504Z备选型号: IPD50N04S308ATMA1

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    AUIRFR3504Z
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
    39 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2
    SILICON
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2010
    e3
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    260
    30
    Single
    增强型MOSFET
    90W
    DRAIN
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 42A, 10V
    4V @ 250μA
    1510pF @ 25V
    45nC @ 10V
    74ns
    ±20V
    38 ns
    42A
    2V
    20V
    0.009Ohm
    40V
    77 mJ
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50N04S308ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    26 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2007
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    鸥翼
    未说明
    未说明
    -
    增强型MOSFET
    68W
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    -
    7.5m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 40μA
    2350pF @ 25V
    35nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    6 ns
    50A
    -
    20V
    0.0075Ohm
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin (Sn)
    SINGLE
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    40V
    200A
    含铅
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