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首页 全部分类 AUIRFS4115 vs FDB075N15A-F085

AUIRFS4115备选型号: FDB075N15A-F085

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  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    AUIRFS4115
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    99A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    IRFS4115
    N-Channel
    12.1m Ω @ 62A, 10V
    5V @ 250μA
    5270pF @ 50V
    120nC @ 10V
    150V
    ±20V
    99A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB075N15A-F085
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK
    33 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    7.5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    5595pF @ 75V
    95nC @ 10V
    -
    ±20V
    110A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    3
    1.31247g
    SILICON
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    33 ns
    SWITCHING
    46ns
    25 ns
    4V
    0.0075Ohm
    150V
    502 mJ
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FDB075N15A-F085 FDB075N15A-F085 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK 对比