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AUIRFS4115备选型号: IPB530N15N3GATMA1
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
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- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 无卤素
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB99A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2015活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明IRFS4115N-Channel12.1m Ω @ 62A, 10V5V @ 250μA5270pF @ 50V120nC @ 10V150V±20V99AROHS3 Compliant-------------------------- MOSFET N-CH 150V 21A TO263-313 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB21A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2008活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明-N-Channel53m Ω @ 18A, 10V4V @ 35μA887pF @ 75V12nC @ 10V-±20V21AROHS3 CompliantSILICONe3no2Tin (Sn)SINGLE鸥翼not_compliant4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET68WDRAIN9 nsSWITCHING无卤素3 ns20V150V0.053Ohm84A60 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDB075N15A-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 对比 |
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